MJE200G onsemi Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples

Fabricant: onsemi
Série: -
Emballer: Bulk
Statut du produit: Active
Type de transistor: NPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 5 A
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 40 V
Saturation Vce (Max) à Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Courant - Coupure du collecteur (max.): 100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Puissance - Max: 15 W
Fréquence - Transition: 65MHz
Température de fonctionnement: -65°C~150°C(TJ)
Type de montage: Through Hole
Paquet / Étui: TO-225AA, TO-126-3
Package d'appareils du fournisseur: TO-126
Numéro de produit de base: MJE200