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GE17140CEA3 GE Aerospace Transistors - FET MOSFET - Réseaux

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description de vos besoins

Fabricant: GE Aerospace
Série: SiC Power
Emballer: Bulk
Statut du produit: Active
Type de FET: -
Fonctionnalité FET: Silicon Carbide (SiC)
Tension drain-source (Vdss): 1700V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 1.4kA
Rds activé (max.) à Id, Vgs: -
Vgs(th) (Max) à Id: -
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: -
Puissance - Max: -
Température de fonctionnement: 175°C(TJ)
Type de montage: Chassis Mount
Paquet / Étui: Module
Package d'appareils du fournisseur: -
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