EPC2102 EPC Transistors - FET MOSFET - Réseaux

Fabricant: EPC
Série: eGaN®
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
Fonctionnalité FET: GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss): 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 23A
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.5V @ 7mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 6.8nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 830pF @ 30V
Puissance - Max: -
Température de fonctionnement: -40°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: Die
Package d'appareils du fournisseur: Die