SSM6N815R,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistors - FET MOSFET - Réseaux

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: U-MOSVIII-H
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: 2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET: Logic Level Gate, 4V Drive
Tension drain-source (Vdss): 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 2A (Ta)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 103mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 290pF @ 15V
Puissance - Max: 1.8W (Ta)
Température de fonctionnement: 150°C
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 6-SMD, Flat Leads
Package d'appareils du fournisseur: 6-TSOP-F
Numéro de produit de base: SSM6N815