HTMN5130SSD-13 Diodes Incorporated Transistors - FET MOSFET - Réseaux

Fabricant: Diodes Incorporated
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR)
Statut du produit: Active
Type de FET: 2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET: Standard
Tension drain-source (Vdss): 55V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 2.6A
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 8.9nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 218.7pF @ 25V
Puissance - Max: 1.7W
Température de fonctionnement: -55°C~175°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur: 8-SO
Numéro de produit de base: HTMN5130