GE17080CDA3 GE Aerospace Transistors - FET MOSFET - Réseaux

Fabricant: GE Aerospace
Série: SiC Power
Emballer: Bulk
Statut du produit: Active
Type de FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
Fonctionnalité FET: Silicon Carbide (SiC)
Tension drain-source (Vdss): 1200V (1.2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 765A
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 2.23mOhm @ 765A, 20V
Vgs(th) (Max) à Id: 4.5V @ 160mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 2414nC @ 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 58000pF @ 900V
Puissance - Max: 2350W
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(Tc)
Type de montage: Chassis Mount
Paquet / Étui: Module