Fabricant: International Rectifier
Série: HEXFET®
Emballer: Bulk
Statut du produit: Active
Type de FET: 2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET: Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss): 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 7.8A, 8.9A
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.25V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 600pF @ 15V
Puissance - Max: 2W
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur: 8-SO
