SSM6N55NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistors - FET MOSFET - Réseaux

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: 2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET: Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss): 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 4A
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 280pF @ 15V
Puissance - Max: 1W
Température de fonctionnement: 150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 6-WDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur: 6-µDFN (2x2)
Numéro de produit de base: SSM6N55