RJK0216DPA-00#J53 Renesas Electronics America Inc Transistors - FET MOSFET - Réseaux

Fabricant: Renesas Electronics America Inc
Série: -
Emballer: Bulk
Statut du produit: Active
Type de FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
Fonctionnalité FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Tension drain-source (Vdss): 25V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 15A, 32A
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 9.2mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: -
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1130pF @ 10V
Puissance - Max: 10W, 20W
Température de fonctionnement: 150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 8-WFDFN
Package d'appareils du fournisseur: 8-DFN (5x6)