EPC2110ENGRT EPC Transistors - FET MOSFET - Réseaux

Fabricant: EPC
Série: eGaN®
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Fonctionnalité FET: GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss): 120V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 3.4A
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.5V @ 700µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 0.8nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 80pF @ 60V
Puissance - Max: -
Température de fonctionnement: -40°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: Die
Package d'appareils du fournisseur: Die
Numéro de produit de base: EPC2110