SIB912DK-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistors - FET MOSFET - Réseaux

Fabricant: Vishay Siliconix
Série: TrenchFET®
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: 2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET: Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss): 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 1.5A
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 216mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 3nC @ 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 95pF @ 10V
Puissance - Max: 3.1W
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: PowerPAK® SC-75-6L Dual
Package d'appareils du fournisseur: PowerPAK® SC-75-6L Dual
Numéro de produit de base: SIB912