SIZF906DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistors - FET MOSFET - Réseaux

Fabricant: Vishay Siliconix
Série: TrenchFET® Gen IV
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
Fonctionnalité FET: Standard
Tension drain-source (Vdss): 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 60A (Tc)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Puissance - Max: 38W (Tc), 83W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TA)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 8-PowerWDFN
Package d'appareils du fournisseur: 8-PowerPair® (6x5)
Numéro de produit de base: SIZF906