EPC2100 EPC Transistors - FET MOSFET - Réseaux

Fabricant: EPC
Série: eGaN®
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
Fonctionnalité FET: GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss): 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Puissance - Max: -
Température de fonctionnement: -40°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: Die
Package d'appareils du fournisseur: Die