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A2G22S251-01SR3 NXP USA Inc. Transistors - FET MOSFET - RF

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Fabricant: NXP USA Inc.
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR)
Statut du produit: Active
Type de transistor: LDMOS
Fréquence: 1.805GHz ~ 2.2GHz
Gagner: 17.7dB
Tension - Test: 48 V
Courant nominal (ampères): -
Facteur de bruit: -
Actuel - Test: 200 mA
Puissance - Sortie: 52dBm
Tension - Nominale: 125 V
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: NI-400S-2S
Package d'appareils du fournisseur: NI-400S-2S
Numéro de produit de base: A2G22

Datasheet

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