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NE3511S02-T1C-A Renesas Electronics America Inc Transistors - FET MOSFET - RF

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Fabricant: Renesas Electronics America Inc
Série: -
Emballer: Bulk
Statut du produit: Obsolete
Type de transistor: HFET
Fréquence: 12GHz
Gagner: 13.5dB
Tension - Test: 2 V
Courant nominal (ampères): 70mA
Facteur de bruit: 0.3dB
Actuel - Test: 10 mA
Puissance - Sortie: -
Tension - Nominale: 4 V
Paquet / Étui: 4-SMD, Flat Leads
Package d'appareils du fournisseur: S02

Datasheet

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