PJD3NA50_L2_00001 Panjit International Inc. Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Panjit International Inc.
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Not For New Designs
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 3A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 260 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 34W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: TO-252
Paquet / Étui: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63