AUIRFSL8408 Infineon Technologies Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Infineon Technologies
Série: HEXFET®
Emballer: Tube
Statut du produit: Obsolete
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 195A (Tc)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 3.9V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 324 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 10820 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 294W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~175°C(TJ)
Type de montage: Through Hole
Package d'appareils du fournisseur: TO-262
Paquet / Étui: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA