DMP2006UFG-7 Diodes Incorporated Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Diodes Incorporated
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Obsolete
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 17.5A (Ta), 40A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 1.5V, 4.5V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 140 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 5404 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 2.3W (Ta)
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: PowerDI3333-8
Paquet / Étui: 8-PowerVDFN
Numéro de produit de base: DMP2006