DMP1080UCB4-7 Diodes Incorporated Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Diodes Incorporated
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Obsolete
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 12 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 3.3A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 1.5V, 4.5V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 80mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): -6V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 350 pF @ 6 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 820mW (Ta)
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: U-WLB1010-4
Paquet / Étui: 4-UFBGA, WLBGA
Numéro de produit de base: DMP1080