DMN55D0UT-7 Diodes Incorporated Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Diodes Incorporated
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Obsolete
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 50 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 160mA (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 2.5V, 4V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 4Ohm @ 100mA, 4V
Vgs(th) (Max) à Id: 1V @ 250µA
Vgs (Max): ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 25 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 200mW (Ta)
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: SOT-523
Paquet / Étui: SOT-523
Numéro de produit de base: DMN55