IXFX120N30T IXYS Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: IXYS
Série: HiPerFET?? Trench
Emballer: Tube
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 300 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 120A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 265 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 20000 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 960W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Through Hole
Package d'appareils du fournisseur: PLUS247??3
Paquet / Étui: TO-247-3 Variant
Numéro de produit de base: IXFX120