NVBG060N090SC1 onsemi Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: onsemi
Série: Automotive, AEC-Q101
Emballer: Tape & Reel (TR)
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 900 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 15V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) à Id: 4.3V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 88 nC @ 15 V
Vgs (Max): +19V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1800 pF @ 450 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~175°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: D2PAK-7
Paquet / Étui: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Numéro de produit de base: NVBG060