APT8065BVRG Microchip Technology Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Microchip Technology
Série: POWER MOS V®
Emballer: Tube
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 13A (Tc)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 650mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 225 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 3700 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET: -
Type de montage: Through Hole
Package d'appareils du fournisseur: TO-247 [B]
Paquet / Étui: TO-247-3
Numéro de produit de base: APT8065