Fabricant: Fairchild Semiconductor
Série: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
Emballer: Bulk
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 76A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 304 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 13566 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 595W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Through Hole
Package d'appareils du fournisseur: TO-247
Paquet / Étui: TO-247-3
