P3M06120K4 PN Junction Semiconductor Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: PN Junction Semiconductor
Série: P3M
Emballer: Tube
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (Vdss): 650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 27A
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 15V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 158mOhm @ 10A, 15V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.2V @ 5mA
Vgs (Max): +20V, -8V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 131W
Température de fonctionnement: -55°C~175°C(TJ)
Type de montage: Through Hole
Package d'appareils du fournisseur: TO-247-4L
Paquet / Étui: TO-247-4