P1H06300D8 PN Junction Semiconductor Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: PN Junction Semiconductor
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR)
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss): 650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 10A
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 6V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: -
Vgs (Max): +10V, -20V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 55.5W
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: DFN8*8