P3M12040G7 PN Junction Semiconductor Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: PN Junction Semiconductor
Série: P3M
Emballer: Tape & Reel (TR)
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (Vdss): 1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 69A
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 15V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 53mOhm @ 40A, 15V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.2V @ 40mA (Typ)
Vgs (Max): +19V, -8V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 357W
Température de fonctionnement: -55°C~175°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: D2PAK-7
Paquet / Étui: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA