P3M17040K4 PN Junction Semiconductor Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: PN Junction Semiconductor
Série: P3M
Emballer: Tube
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (Vdss): 1700 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 73A
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 15V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.2V @ 50mA (Typ)
Vgs (Max): +19V, -8V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 536W
Température de fonctionnement: -55°C~175°C(TJ)
Type de montage: Through Hole
Package d'appareils du fournisseur: TO-247-4L
Paquet / Étui: TO-247-4