SIHFS9N60A-GE3 Vishay Siliconix Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Vishay Siliconix
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR)
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 9.2A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 49 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1400 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 170W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: D²PAK (TO-263)
Paquet / Étui: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base: SIHFS9