IRF6637TRPBF Infineon Technologies Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Infineon Technologies
Série: HEXFET®
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Last Time Buy
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 14A (Ta), 59A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 4.5V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.35V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1330 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement: -40°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: DIRECTFET??MP
Paquet / Étui: DirectFET??Isometric MP
Numéro de produit de base: IRF6637