FQPF8N80CYDTU Fairchild Semiconductor Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Fairchild Semiconductor
Série: -
Emballer: Bulk
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 8A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 45 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 2050 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 59W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Through Hole
Package d'appareils du fournisseur: TO-220F-3 (Y-Forming)
Paquet / Étui: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads