IRLU3705ZPBF International Rectifier Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: International Rectifier
Série: HEXFET®
Emballer: Bulk
Statut du produit: Obsolete
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 55 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 42A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 4.5V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 66 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 2900 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 130W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~175°C(TJ)
Type de montage: Through Hole
Package d'appareils du fournisseur: IPAK (TO-251AA)
Paquet / Étui: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA