NTMT061N60S5F onsemi Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: onsemi
Série: SuperFET® V, FRFET®
Emballer: Tape & Reel (TR)
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 41A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 61mOhm @ 20.5A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 4.8V @ 4.6mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 76 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 4175 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 255W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 4-TDFN (8x8)
Paquet / Étui: 4-PowerTSFN