TPH1110ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: U-MOSVIII-H
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 7.2A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 4V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 7 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 600 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement: 150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 8-SOP Advance (5x5)
Paquet / Étui: 8-PowerVDFN
Numéro de produit de base: TPH1110