Fabricant: onsemi
Série: Automotive, AEC-Q101
Emballer: Tape & Reel (TR)
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 4.5V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 3V @ 15µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 305 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~175°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 8-WDFN (3.3x3.3)
Paquet / Étui: 8-PowerWDFN
