NTE2378 NTE Electronics, Inc Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: NTE Electronics, Inc
Série: -
Emballer: Bag
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 900 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 5A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 3.6Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 3V @ 1mA
Vgs (Max): ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 700 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 120W (Tc)
Température de fonctionnement: 150°C
Type de montage: Through Hole
Package d'appareils du fournisseur: TO-3P
Paquet / Étui: TO-3P-3, SC-65-3