SISA16DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Vishay Siliconix
Série: TrenchFET®
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 16A (Ta)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 47 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 2060 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): -
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: PowerPAK® 1212-8
Paquet / Étui: PowerPAK® 1212-8
Numéro de produit de base: SISA16