NTE464 NTE Electronics, Inc Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: NTE Electronics, Inc
Série: -
Emballer: Bag
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 25 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 10A
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 600Ohm @ 0A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 5V @ 10A
Vgs (Max): ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 5000 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET: Standard
Dissipation de puissance (max.): 800mW (Tc)
Température de fonctionnement: 175°C(TJ)
Type de montage: Through Hole
Package d'appareils du fournisseur: TO-72
Paquet / Étui: TO-72-3