Fabricant: NTE Electronics, Inc
Série: -
Emballer: Bag
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 25mA
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): -
Rds activé (max.) à Id, Vgs: -
Vgs(th) (Max) à Id: -
Vgs (Max): ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 3500 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET: Standard
Dissipation de puissance (max.): 200mW (Ta)
Température de fonctionnement: -55°C~125°C
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: -
Paquet / Étui: SOT-103
