IST015N06NM5AUMA1 Infineon Technologies Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Infineon Technologies
Série: OptiMOS??
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 36A (Ta), 242A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 6V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 3.3V @ 95µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 89 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 5200 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~175°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: PG-HSOF-5-1
Paquet / Étui: 5-PowerSFN