RM35P100T2 Rectron USA Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Rectron USA
Série: -
Emballer: Tube
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 35A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 4.5V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.5V @ 250µA
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 6516 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 104W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Through Hole
Package d'appareils du fournisseur: TO-220-3
Paquet / Étui: TO-220-3