IRFR121 Harris Corporation Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Harris Corporation
Série: -
Emballer: Bulk
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 8.4A
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): -
Rds activé (max.) à Id, Vgs: -
Vgs(th) (Max) à Id: -
Vgs (Max): -
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): -
Température de fonctionnement: -
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: TO-252-3 (DPAK)
Paquet / Étui: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63