RM4N650LD Rectron USA Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Rectron USA
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR)
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 4A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 3.5V @ 250µA
Vgs (Max): ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 280 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 46W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: TO-252-2
Paquet / Étui: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63