Fabricant: International Rectifier
Série: HEXFET®
Emballer: Bulk
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 58A (Tc)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.35V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1350 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 55W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~175°C(TJ)
Type de montage: Through Hole
Package d'appareils du fournisseur: PG-TO-251-3-21
Paquet / Étui: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
