SISS80DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Vishay Siliconix
Série: TrenchFET® Gen IV
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 58.3A (Ta), 210A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 2.5V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 0.92mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 122 nC @ 10 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 6450 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 5W (Ta), 65W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: PowerPAK® 1212-8S
Paquet / Étui: PowerPAK® 1212-8S
Numéro de produit de base: SISS80