SSM3J168F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: Automotive, AEC-Q101, U-MOSVI
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 400mA (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 4V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 1.55Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 3 nC @ 10 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 82 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 600mW (Ta)
Température de fonctionnement: 150°C
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: S-Mini
Paquet / Étui: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3