SISS61DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Vishay Siliconix
Série: TrenchFET® Gen III
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 30.9A (Ta), 111.9A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 1.8V, 4.5V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 231 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 8740 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 5W (Ta), 65.8W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: PowerPAK® 1212-8S
Paquet / Étui: PowerPAK® 1212-8S
Numéro de produit de base: SISS61