SIA433EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Vishay Siliconix
Série: TrenchFET®
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 12A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 1.8V, 4.5V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 18mOhm @ 7.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 75 nC @ 8 V
Vgs (Max): ±12V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: PowerPAK® SC-70-6
Paquet / Étui: PowerPAK® SC-70-6
Numéro de produit de base: SIA433