SQ3419AEEV-T1_GE3 Vishay Siliconix Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Vishay Siliconix
Série: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 6.9A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 4.5V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 975 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 5W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C~175°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 6-TSOP
Paquet / Étui: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base: SQ3419