SSM6G18NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 2A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 1.5V, 4.5V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 112mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 270 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET: Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max.): 1W (Ta)
Température de fonctionnement: 150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 6-µDFN (2x2)
Paquet / Étui: 6-WDFN Exposed Pad
Numéro de produit de base: SSM6G18